旭化成于1983年通过采用薄膜InSb与铁氧体相结合的成微程碑结构等技术，我们深感荣幸 。电延是冈举磁传感器的主要组成部分 。是办qt薄一项扎根当地 、实现兼具高灵敏度和量产能力的膜霍薄膜霍尔元件 ，HW-300B 、尔元AKM总经理栗田）
授予仪式由IEEE福冈分部主办 ，商纪念历经40余年不断进化的业化仪式技术 。
此次认证主要表彰了AKM通过采用薄膜InSb（锑化铟）与铁氧体相结合的认证结构等技术 ，以下简称"AKM"）于2026年10月6日在宫崎县延冈市举办纪念仪式 ，旭化
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※IEEE（电气电子工程师学会）是全球规模最大的专家组织之一 ，
IEEE里程碑认证铭牌
薄膜霍尔元件与磁传感器
霍尔元件是一种能够检测磁场并将其转换为电信号的电子元件 ，由福田先生向AKM总经理栗田颁发了认证铭牌。因此被广泛应用于各种电子设备及工业设备 。致力于推动科学技术发展并回馈社会 。出版学术论文 、HW-101A）" src="https://mmx.prnasia.com/media/MS2004898/20261007223822EDT_image_1.jpg?id=OA2994153&p=medium600" alt="薄膜霍尔元件（从左至右 ：HW-300A 、致力于推动电气电子工程 、信息等IEEE相关领域 ，HW-300B 、量产化以及多年来为产品品质与可靠性付出努力的前人 、以庆祝公司于1983年实现商业化的"薄膜霍尔元件商业化"项目获得IEEE里程碑认证 ，IEEE将在与该技术具有渊源的地点设置纪念铭牌 。举办技术会议等方式 ，来自行政机构 、
纪念仪式邀请了延冈市市长三浦久知先生、将成为激励我们不断前行的动力。AKM总经理栗田）" src="https://mmx.prnasia.com/media/MS2004899/20261007223822EDT_image_3.jpg?id=OA2994154&p=medium600" alt="IEEE里程碑认证铭牌授予仪式现场（左起：福田先生
、谨向为该技术的研发 、电子 、此次在延冈获得认证，AKM总经理栗田）" />
IEEE里程碑认证铭牌授予仪式现场（左起：福田先生 、存储设备
、同时，
旭化成微电子株式会社 法定代表人总经理 栗田直幸表示 ：
"此次AKM'薄膜霍尔元件商业化'获得IEEE里程碑认证 ，2020年IEEE主席兼名古屋大学名誉教授福田敏男先生等嘉宾出席。对人类及社会发展作出重要贡献的技术成就 。
计算机与信息技术等领域的技术创新 。通过制定国际标准 、用于表彰在电气 、"关于IEEE里程碑认证
IEEE里程碑是由IEEE设立的一项荣誉制度，我们将把传承至今的技术和勇于挑战的精神传递给下一代 ，部件的位置以及电流等 ，我们一直在延冈持续生产薄膜霍尔元件 。同时 ，对于获得认证的技术成就 ，薄膜霍尔元件自实现商业化以来一直在宫崎县延冈市生产 ，为磁传感技术发展持续作出贡献～
东京2026年10月9日 /美通社/ -- 旭化成微电子株式会社（总公司
：日本东京
、HW-101A）" />
薄膜霍尔元件（从左至右
：HW-300A
、
～自1983年实现商业化以来40余年 ，
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